台积电与三星的晶圆领域均已经进入了 10nm 制程技术领域，半导体大厂英特尔(Intel）也不甘示弱，今天在中国北京所举办的尖端制造大会上，英特尔正式公布了自家的 10 nm 制程技术，以及全球首次对外展示的 10 nm 晶圆。英特尔还宣布，该公司将会在接下来的技术大会上，除了介绍自家的 10 nm 制程技术之外，同时也将于竞争对手，也就是台积电以及三星的 10 nm 制程技术进行比较。
在本次大会上，英特尔制程架构总监 Mark T.Bohr 发布了英特尔的 10 nm 制程技术。Mark T.Bohr 表示，与台积电和三星等竞争对手相比，可以看出英特尔的 10 nm 制程技术的差距，以及栅极间距均低于台积电和三星，而且最小金属间距更是大幅领先竞争对手。
另外，从最终逻辑晶体管密度参数上面，英特尔的 10 nm 制程技术能够达到每平方毫米 1亿晶体数，而台积电为 4800 万，三星为 5160 万，也就是说英特尔的 10nm 制程技术的晶体密度是台积电的 2 倍还多。
另外，英特尔执行副总裁 Stacy J.Smith 讲解完英特尔未来战略演讲后，Smith 还向全世界首次展示了以最新 10 nm 制成技术所打造的圆晶，这也是未来 Cannon Lake CPU 的最基础部分。这次是英特尔首次全球展示 10 nm 的圆晶，虽然英特尔表示自家的 10 nm 制成技术还将会领先竞争对手很多，而且未来还会有 10 nm+ 以及 10nm++ 制程技术。
不过在目前英特尔还没有对最新的 10nm制成技术透露出更多的技术资讯。相关的状况目前我们都还未能确认。不过英特尔已经表示，将会在 2017 年底前正式投产 10 nm 制成技术的处理器。
