“全球半导体市场是我们的”... 三星和海力士今年将再次进行大规模投资

 

三星电子计划提高其在世界上运行最好的存储器领域的竞争力，并扩大其代工（半导体委托生产）份额。SK海力士也有望进行大胆投资，以保持在超精细工艺方面的竞争力。据解读，当外国竞争对手宣布大规模投资时，两家公司正面交锋。台湾台积电今年计划向 半导体 设施 投入 高达440亿 美元( 约52.7万亿韩元 ) , 美国 英特尔 也 宣布 今年 将 向 半导体 投资280亿 美元 ( 约33.5万亿韩元) .年，比上年增长约60 % 。

 

据业内人士8日称，三星电子去年在半导体设施上投资43.6万亿韩元，比上年增加约10.7万亿韩元。这是因为中国平泽、京畿道和西安的生产设施已增加，以响应对基于 EUV 的 15 纳米 (nm) DRAM 和 V6 NAND 闪存（非易失性存储半导体）等先进工艺的需求。

 

预计今年还将继续对半导体设施进行积极投资。三星电子有望通过其新的内存产品、 14纳米 DRAM 和“高层 NAND”、176层 NAND 闪存，专注于增强其市场领导地位并为这些产品建立量产线。

 

生产线投资也有望扩大代工市场份额。今年上半年，三星电子计划量产全球首款基于GAA（下一代栅极全能）工艺的3nm产品。

 

SK海力士去年也是13万亿4000 。继投资1亿韩元后，预计今年将加大投资力度。早在上个月28日，他就通过电话会议表示，“今年的投资将比去年增加，因为购买龙仁半导体集群场地和在美国建设研发中心等基础设施投资状态。” 此外，预计将认真开始投资以确保超精细工艺，例如引入EUV设备。

 

然而，市场风险因素是变量。在上个月27日的电话会议上，三星电子并未透露今年的具体投资规模，称“存在各种不确定性”。半导体市场的风险因素包括元件供应风险、新型冠状病毒感染 (COVID- 19 )、供应链问题、原材料和辅助材料价格可能上涨以及对内存价格下跌的担忧。