苹果供应商海力士（SK Hynix）日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 的存储，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
自 2016 年 11 月以来，该供应商一直在制造 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。他们之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片于 2016 年 4 月推出。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%，海力士将在今年下半年量产这些新的芯片。
iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 机型上的 NAND 闪存芯片来自东芝和海力士，其中一些 iPhone 7 采用了东芝的 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其它商业产品中，而其它的 iPhone 7 型号则使用了海力士的闪存芯片。
而海力士日前推出的这款 72 层的闪存芯片适用于未来的 iPhone，不知道在 iPhone 8 上会不会用上这种新的技术呢？
