成功堆叠200 个或更多微米耳将电池
面积减少34 %并
提高生产力
SK海力士开发的业界最高的238层NAND闪存。/由 SK海力士提供
手游巴士（www.shouyoubus.com）2022年08月03日讯:继美国美光之后，SK海力士3日成功开发了200多个NAND闪存。三星电子还计划在明年上半年推出200层以上的NAND产品。三星电子、SK海力士和美光之间的堆叠竞争再次加剧，争夺200层或更高层的 NAND 闪存市场。同日，在美国圣克拉拉举行的 Flash Memory Summit 2022上， SK海力士推出了业界最高的全新238层 NAND 闪存。这是继上个月宣布量产232层NAND闪存的美光之后，业界第二个200层或更高层的NAND闪存。SK海力士向客户交付238层512Gb（千兆位）TLC （ Triple Level Cell ，在一个芯片中存储3位）四维（4D）NAND闪存原型，计划明年上半年开始量产. 一位公司负责人表示，“过去
2020年12月，我们开发了176层NAND ，历时1年零7个月，成功开发出下一代技术。根据一个单元存储多少条信息（位单元），NAND闪存分为SLC（单级单元）、MLC（多级单元）、TLC、QLC（四级单元）、PLC（五级集）等划分 随着信息存储量的增加，同一区域可以存储更多的数据。
SK海力士CTF、PUC技术说明。/由 SK海力士提供
SK海力士从2018年开发的96层NAND开始，推出了超越现有3D（3D ）的4D产品。SK海力士采用CTF（Charge Trap Flash）技术，通过将电荷存储在绝缘体中来解决单元之间的干扰，以创建4D ，其中芯片采用四维结构。同时，还应用了通过在单元电路下部设置外围电路来提高生产效率的PUC （periunder cell）技术。通过这种方式，减少了单位电池面积，同时提高了生产效率。238层 NAND 闪存随着级数的增加而成为世界上最小的尺寸，与之前的176层 NAND 闪存相比，生产率提高了34 % 。这是因为单位面积容量增加的芯片在每个晶片上生产的数量更多。数据传输速率为2.4 Gb /s，比上一代快50 % 。芯片用于读取数据的能量减少了21 %。SK海力士PC
该公司计划提供238层产品，用于作为存储设备的客户端固态驱动器 ( SSD )，然后将其应用扩展到智能手机和服务器的高容量SSD 。此外，明年还将推出容量翻倍的1Tb（太比特）产品。在闪存峰会的主题演讲中， SK海力士 NAND 开发副总裁 Choi Jeong-dal 表示：“ SK海力士通过采用4D NAND 技术开发的238层，在成本、性能和质量方面确保了全球一流的竞争力。我们将继续创新突破。”
