1纳米争夺战打响 三星计划2030年量产1纳米工艺

2026-04-01 来源:手游巴士 作者:某年某月

 进入2026年后,三星晶圆代工业务似乎迎来了转折点,最近2nm制程节点的开发和客户订单谈判进展似乎都非常顺利。最近有消息称,2nm GAA工艺继续取得进展,现在的良品率已提升至60%,距离70%的目标又近了一步。

 

 
据TrendForce报道,三星正在加大对先进半导体技术的投入,目标2030年之前完成1nm制程节点的开发工作,2030年实现量产,抢占下一代制程技术代工市场的主导权。与此同时,三星还计划深耕2nm制程节点,扩展不同细分工艺的阵容,以进一步争取主要客户。
 
 
在1nm制程节点上,三星预计将采用新的晶体管架构,引入“Forksheet”叉片晶体管结构。三星从3nm制程节点引入的GAA(Gate-All-Around)晶体管结构,将电流路径从原有的三个面扩展到四个面,最大限度地提高了功耗效率,而Forksheet则是在这基础上的演进,利用叉形片层技术在晶体管之间加入绝缘墙,从而缩小了晶体管之间的间距。通过消除未使用的空间,同一芯片面积下可以容纳更多晶体管。
 
去年三星在韩国首尔举行的SAFE 2025活动上,展示了第三代2nm工艺,称为“SF2P+”。另外三星针对特斯拉的AI6芯片,正在开发一种定制化工艺,称为“SF2T”。三星计划今年开始部署第三代2nm工艺,也就是SF2P,明年再上线SF2P+。
 
 

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